عناصر مشابهة
حساب معامل سيباك لأغشية CdSe المحضرة بمعدلات ترسيب مختلفة
| المصدر: | مجلة كلية التربية |
|---|---|
| الناشر: |
الجامعة المستنصرية - كلية التربية
|
| المؤلف الرئيسي: | |
| مؤلفين آخرين: | , |
| المجلد/العدد: | ع1 |
| محكمة: | نعم |
| الدولة: | العراق |
| التاريخ الميلادي: | 2009 |
| الصفحات: | 778 - 783 |
| ISSN: | 1812-0380 |
| رقم MD: | 677813 |
| نوع المحتوى: | بحوث ومقالات |
| قواعد المعلومات: | EduSearch |
| مواضيع: | |
| رابط المحتوى: |
| المستخلص: | في هذا البحث تم تحضير أغشية CdSe على قواعد زجاجية بطريقة التبخير الحراري في الفراغ وبسمك (360nm) وترسيب nm/s(0.4, 0.8, 1.2) ودرجات حرارة أساس مختلفة K (300, 373, 423, 473) وحساب القدرة الكهروحرارية لهذه الأغشية (معامل سيباك) وطاقة التنشيط وقد تبين أن جميع الأغشية وبكافة معدلات الترسيب هي من نوع (n- type) وأن طاقة التنشيط تزداد مع زيادة كل من معدل الترسيب وزيادة درجة الحرارة الأساس عدا الأغشية المحضرة بمعدل ترسيب 0.8 nm/s ودرجات أساس 423 K والأغشية المحضرة بمعدل ترسيب ((1.2nm/s ودرجات حرارة أساس (423, 473 K) فقد كان من نوع P- type . In this paper CdSe thin films have been prepared deposited on glass substrate by thermal evaporation technique at thickness 250nm with different depositions rate (0.4,0.8,1.2)nm/s and substrate temperatures (Ts) (300,373,423,473)K. thermoelectric power were measured to this films (Seebak coefficient) and activation energy were evaluated, the results shows that all films were of n-type conductivity and activation energy increases with depositions rate and substrate temperate films prepared at 0.8nm/s with Ts 423K and 1.2nm/s with Ts (423,473)K, except that they were of p-type conductivity. |
|---|
