عناصر مشابهة
دراسة التوصيلية الضوئية لأغشية CdSe المحضرة بدرجات حراراة أساس ومعدلات ترسيب مختلفة
| المصدر: | مجلة كلية التربية |
|---|---|
| الناشر: |
الجامعة المستنصرية - كلية التربية
|
| المؤلف الرئيسي: | |
| المجلد/العدد: | ع 5 |
| محكمة: | نعم |
| الدولة: | العراق |
| التاريخ الميلادي: | 2005 |
| الصفحات: | 391 - 398 |
| ISSN: | 1812-0380 |
| رقم MD: | 423632 |
| نوع المحتوى: | بحوث ومقالات |
| قواعد المعلومات: | EduSearch |
| مواضيع: | |
| رابط المحتوى: |
| المستخلص: | في هذا البحث تم ترسيب أغشية CdSe الرقيقة بمعدلات ترسيب A/ses (4.8.12) وبدرجات حرارة قاعدةc (100،150،200) بتقنية التبخير الحراري في الفراغ وبسمك 2500A وتمت دراسة التوصيلية الضوئية لهذه الأغشية بحساب خواص تيار-جهد في حالة الإضاءة والظلام باستخدام مصباح تنكستن بشدة (100 W) وتم كذلك حساب الربحية (Gain) لكافة الأغشية وأوضحت النتائج أن الربحية تقل عند درجة حرارة أساس C(150) وتزداد عند درجة 200C وأنها تقل مع زيادة معدل الترسيب. CdSe thin films were deposited on glass substrate by thermal evaporation method at thickness of 2500 A withdifferent rate of deposition (4,8.12) A/s and substrate temperature (100.150,200)C . The photo conductivity of the deposited films has been determined. The current- voltage characteristics of the films were measured under darknees and illumination by using tungestin lamp at power intensity of (100W). The gain of all films was calculated. The results show that the gain decrease at substrate temperature (150C°) and increase at (200C) also it decrease with increasing the rate of deposition. |
|---|
