عناصر مشابهة
Carrier Injection in Optically Bistable Optoelectronic InSb Device
| المصدر: | مجلة كلية التربية |
|---|---|
| الناشر: |
الجامعة المستنصرية - كلية التربية
|
| المؤلف الرئيسي: | |
| مؤلفين آخرين: | |
| المجلد/العدد: | ع 3 |
| محكمة: | نعم |
| الدولة: | العراق |
| التاريخ الميلادي: | 2008 |
| الصفحات: | 594 - 602 |
| ISSN: | 1812-0380 |
| رقم MD: | 426364 |
| نوع المحتوى: | بحوث ومقالات |
| قواعد المعلومات: | EduSearch |
| مواضيع: | |
| رابط المحتوى: |
| المستخلص: | في هذا البحث تم حساب عدد الحاملات المحقونة، التيار والفولتية اللازمة لإنجاز عملية الإقلاب (الفتح والغلق) في الانديوم انتمونايد. حيث وجد بان تركيز الحوامل المحقونة عند درجة حرارة الغرفة اكبر بكثير من ذلك عند درجة حرارة النيتروجين السائل. كذلك فان الانحياز المسلط يزداد خطيا مع زيادة تركيز الحوامل المحقونة. أوضحت النتائج أن العلاقة بين لوغاريتم التيار مقابل تركيز الحوامل يزداد خطيا وان معدل زيادة التيار ثابت. إضافة لذلك عند درجة حرارة النيتروجين السائل ولانحياز مسلط mV 143فان متطلبات الحقن الكلية لإنجاز عملية الإقلاب تتحقق بمقدار mA 0.6، مقارنة لمتطلبات حقن في مدى الامبيرات للتماسات التي تصنع بالطرق المألوفة. وهكذا تزداد كفاءة الحقن إلى حد كبير باستعمال وصلة p + -n ٠ وعليه فان القدرة المطلوبة لإنجاز عملية الإقلاب عند درجة K ٧٧ أقل بكثير من تلك عند درجة حرارة k300. In this study, the required injected carrier's number, current, and voltage to achieve switching dynamics in n-type InSb has been calculated theoretically. It is found that the required injected concentration at room temperature is much larger than that at liquid nitrogen temperature and the applied bias voltage and current increase linearly with increasing the injected concentration .Results show that ,the relation between the logarithm of the current versus applied bias is linear .At 77 K, for an applied bias of 143 mV the entire injection requirements to achiev switching dynamics are satisfied by 0.6mA compared with a requirement in the range of amperes for contacts which are not fabricated to be injecting. Thus, the efficiency of injection increases considerably when a p+-n junction was used. Also, the required power to achieve switching in InSb increased as temperature increased. |
|---|---|
| وصف العنصر: | أصل المقال منشور باللغة الإنجليزية |
