عناصر مشابهة
The Magnetization of Single Gaas Quantum Dot with Gaussian Confinement
| العنوان بلغة أخرى: | التمغنط لنقطة كمية منفردة من زرنخيد الغاليوم GaAs المحصورة بجهد جاوس |
|---|---|
| الناشر: |
نابلس
|
| المؤلف الرئيسي: | |
| مؤلفين آخرين: | |
| التاريخ الميلادي: | 2017 |
| الصفحات: | 1 - 35 |
| رقم MD: | 1248002 |
| نوع المحتوى: | رسائل جامعية |
| اللغة: | English |
| قواعد المعلومات: | Dissertations |
| الدرجة العلمية: | رسالة ماجستير |
| الجامعة: | جامعة النجاح الوطنية |
| الكلية: | كلية الدراسات العليا |
| مواضيع: | |
| رابط المحتوى: |
| المستخلص: | قمنا بحساب التمغنط لإلكترون واحد محصور بجهد جاوس في نقطة كمية مصنوعة من مادة GaAs عن طريق حل دالة هاملتون بطريقة المحور الدقيقة أخذين بالاعتبار الحركة المغزلية للإلكترون وتم فحص اعتماد كمية التمغنط على كل من المتغيرات التالية: درجة الحرارة والمجال المغناطيسي وجهد الحصر، عرضنا في هذه الأطروحة تغير طاقة الإلكترون بتغيير كل من المجال المغناطيسي وشدة جهد جاوس وحجم النقطة الكمية، أظهرت المقارنات المعروضة في الأطروحة تطابقا كبيرا بين النتائج التي حصلنا عليها مع الأعمال المنشورة. |
|---|
