عناصر مشابهة
The Magnetization of Donor Impurity in Quantum Dot with Gaussian Confinement under Magnetic Field
العنوان بلغة أخرى: | التمغنط للشوائب المانحة في نقاط كمية والمحصورة بجهد غاوس تحت مجال مغناطيسي |
---|---|
الناشر: |
نابلس
|
المؤلف الرئيسي: | |
مؤلفين آخرين: | , |
التاريخ الميلادي: | 2018 |
الصفحات: | 1 - 47 |
رقم MD: | 1248038 |
نوع المحتوى: | رسائل جامعية |
اللغة: | English |
قواعد المعلومات: | Dissertations |
الدرجة العلمية: | رسالة ماجستير |
الجامعة: | جامعة النجاح الوطنية |
الكلية: | كلية الدراسات العليا |
مواضيع: | |
رابط المحتوى: |
المستخلص: | تم دراسة تأثير المجال المغناطيسي على الشوائب المانحة والمحصورة في مادة (GaAs). قمنا أيضا بعرض (1/N) بجهد غاوس مع الغزل المغناطيسي وحل دالة هاملتون بطريقة المفكوك الطاقة وطاقة الربط للمستوى الأرضي للإلكترون كاقتران بدلالة المجال المغناطيسي وعمق الجهد المحصور ونصف قطر النقطة الكمية. أظهرت الدراسة احتساب الكميات المغناطيسية للشوائب المانحة في النقطة الكمية مثل التمغنط والقابلية المغناطيسية. كما بينا أيضا اعتماد كل من χ,M على درجة الحرارة والمجال المغناطيسي والجهد المحصور. لقد قمنا بفحص تأثير الشوائب على الخواص المغناطيسية. بينت المقارنات أن النتائج جيدة جدا ومتفقة مع مثيلاتها المنشورة سابقا. |
---|