عناصر مشابهة

Domain Wall Dynamics in Ferromagnetic Nanowires

تفصيل البيانات البيبلوغرافية
العنوان بلغة أخرى:ديناميكا حائط المجال المغناطيسي في المواد الفيرومغناطيسية النانوية
الناشر: مسقط
المؤلف الرئيسي: الراشدي، بدرية أحمد سيف (مؤلف)
مؤلفين آخرين: Sbiaa, Rachid (Advisor)
التاريخ الميلادي:2016
الصفحات:1 - 55
رقم MD:946789
نوع المحتوى: رسائل جامعية
اللغة:English
قواعد المعلومات:Dissertations
الدرجة العلمية:رسالة ماجستير
الجامعة:جامعة السلطان قابوس
الكلية:كلية العلوم
مواضيع:
رابط المحتوى:
الوصف
المستخلص:للتطبيقات المتعددة لموجات الميكرويف في مجال الاتصالات اللاسلكية، هناك طلب متواصل على الأجهزة التي تتميز بمدى كبير من الترددات، وتنتج إشارات عالية الشدة وتكون ذات استهلاك قليل للطاقة. في هذا البحث ندرس ديناميكا حائط المجال المغناطيسي في الأسلاك الفيرومغناطيسية النانويه باستخدام محاكاه ميكرومغناطيسيه معدلة تستند على معادلة لاندو لیفشيتز جلبرت والتي تتضمن الجزء الخاص بانتقال العزم الدوراني. انتقال العزم الدوراني تنتج من التفاعل بين خاصية التيار المستقطب والعزم المغناطيسي للمادة. أظهرت نتائج الدراسة أن تردد الإشارة يعتمد على عرض السلك النانوي حيث أن زيادة عرض السلك تؤدي إلى زيادة التردد. عند قيمة ثابتة لعرض السلك، وجد أن حائط المجال لا يعطي ذبذبة قبل قيمة حرجة لشدة التيار. وعند زيادة شدة التيار عن هذه القيمة فان هذا يعطي ذبذبة أسرع لحائط المجال. أيضا عدد من مخططات حائط المجال تمت دراستها والنتائج سيتم مناقشتها. مقارنة بين حالة المجال الواحد وحالة المجالين ستقدم. في حالة المجالين، لوحظ انخفاض كبير في قيمة شدة التيار اللازمة لحدوث ذبذبة لحائط المجال المغناطيسي.