عناصر مشابهة
تحضير ودراسة اغشية اوكسيد الزنك المشوب بالألمنيوم ذو التركيب النانوى المحضر بطريقة التحلل الكيميائى الحرارى
| العنوان بلغة أخرى: | Fabrication and Study of ZnO: Althinfilm Nanostructure by Spray Pyrolysis |
|---|---|
| المصدر: | مجلة كلية التربية |
| الناشر: |
الجامعة المستنصرية - كلية التربية
|
| المؤلف الرئيسي: | |
| مؤلفين آخرين: | |
| المجلد/العدد: | ع3 |
| محكمة: | نعم |
| الدولة: | العراق |
| التاريخ الميلادي: | 2013 |
| الصفحات: | 115 - 130 |
| ISSN: | 1812-0380 |
| رقم MD: | 871686 |
| نوع المحتوى: | بحوث ومقالات |
| اللغة: | Arabic |
| قواعد المعلومات: | EduSearch |
| مواضيع: | |
| رابط المحتوى: |
| المستخلص: | تم في هذا البحث دراسة اوكسيد الزنك المشوب بالألمنيوم (AZ0) والمرسب على قواعد من الزجاج والسليكون والسليكون المسامي بطريقة التحلل الكيميائي الحراري. ولقد تم تصنيع السليكون المسامي بطريقة الانوده الكهروكيميائية لرقائق من السليكون نوع (p) ذو اتجاهية (100). إن تأثير نوع القاعدة وتركيز التشويب على(AZO) تم التحقق منه من خلال تحليل الخواص التركيبية والبصرية والكهربائية للأغشية. ولقد وجد أن كل الأغشية متعددة التبلور وذو اتجاهية (002). من قياسات ماسح القوة الذرية (AFM) وجد أن معدل الجذر التربيعي للخشونة(RMS) يقل مع زيادة تركيز الألمنيوم. الخواص الكهربائية تبين أن التوصيلية الكهربائية تتغير باختلاف نسبة تركيز التشويب حيث تزداد بازدياد تركيز الألمنيوم اعضم توصيلية كهربائية كانت( S. cm-1) 4.25 عند نسبة التشويب 3%. ومن خلال خصائص تیار- فولتية وجد أن عامل المثالية (2˜n) للمفرق الهجين. وكانت النفوذية الضوئية بحدود 85% في المدى المرئي للأغشية. In the present work, a study ZnO and ZnO: Al (AZO) was deposited on glass, silicon and porous silicon (PS) substrates by the low cost spray pyrolysis technique. The porous silicon (PS) substrates were formed by electrochemical anodization on p-type (100) silicon wafer, The effect of substrate type, and doping concentration on AZO thin layers have been investigated by analysing the structural, optical, and electrical properties of the flms. It was found that all films were polycrystalline with preferred [002] orientation, from the AFM surface morphology measurement, found the RMS roughness decreases with increasing the aluminium concentration. The electrical properties showed the conductivity variation of AZO films with different doping concentrations increase with increased Al concentrations. Maximum electrical conductivity 4.25 (S.cm' was obtained at a doping concentration of 3% from 1-V characteristics found The ideality factors (n-2) of the prepared heterojunction are observed in the interim bias voltage range. The optical transmittance was about 85% in visible range for the optimum film. |
|---|
