عناصر مشابهة
تأثير سمك أغشية أوكسيد الأنديوم على الاستجابة الطيفية للخلايا الشمسية السلكونية
| المصدر: | مجلة كلية التربية الأساسية |
|---|---|
| الناشر: |
الجامعة المستنصرية - كلية التربية الأساسية
|
| المؤلف الرئيسي: | |
| مؤلفين آخرين: | , |
| المجلد/العدد: | ع77 |
| محكمة: | نعم |
| الدولة: | العراق |
| التاريخ الميلادي: | 2013 |
| الصفحات: | 645 - 660 |
| ISSN: | 8536-2706 |
| رقم MD: | 863511 |
| نوع المحتوى: | بحوث ومقالات |
| اللغة: | Arabic |
| قواعد المعلومات: | EduSearch |
| مواضيع: | |
| رابط المحتوى: |
| المستخلص: | يتناول هذا البحث تأثير اغشيه In203 المرسب على سطح الخلايا الشمسية السلكونية مفرق p-n كطلاء مضاد للانعكاس على كفائة الخلية الشمسية السلكونية وعلى الخواص الكشفية، تم تحضير غشاء الانديوم بطريقة التبخير الحراري ثم أكسدته بتقنية الأكسدة الحرارية السريعة RTO، وباسماك مختلفة (106- 200- 350- 500nm)، ضمن درجات حرارة أكسدة مختلفة تتراوح (350- 400- 450C). تبين من قياسات تيار الدائرة القصيرة- وفولتية الدائرة المفتوحة تحسن ملحوظ في كفاءة التحويل للخلية الشمسية بعد طلائها بغشاء In203 آذ كانت (3.95%) قبل الطلاء وأصبحت (10.95%) عند ترسيب غشاء لسمك 500 nm ولدرجة حرارة الأكسدة 450C. وقد تم خلال البحث دراسة الخواص الكشفية إذ كانت قمة الإستجابية الطيفية عند الطول الموجي 800 nm هي (0.126 A/W) قبل الطلاء وقد تحسنت بعد الطلاء وأصبحت (0.45 A/W) عند نفس الطول الموجي أما الكفاءة الكمية فكانت (1.95%) قبل الطلاء وأصبحت (7%) بعد الطلاء للسمك 500 nm ودرجة حرارة أكسدة .450C In this work, effect films thickness (106- 200- 350- 500nm) of In203 deposited onto the p-n junction's silicon solar cells, as antireflection coatings by rapid thermal oxidation at different a range of oxidation temperature up to (350- 400- 450C) on .The measurement of the short circuit current-open circuit voltage show improved with conversion efficiency of the p-n junction solar cell after coating by ln203 film 500nm thickness and oxidation temperature (3.95%) before coating it became (10.95%) after coating by at 450C° oxidation temperature .And through the study of the detectives properties ,the maximum spectral response at the wave length 800nm was (00126A/W) before the coating improved after coating it became (0045AAV) ,at the same wavelength, as for the Quantum efficiency ,it was (1.95%) before the coating became (7%) by In203 film 500nm thickness at 450C° oxidation temperature. |
|---|
