عناصر مشابهة
تحضير ودراسة الخواص الكهربائية للثنائى ( Cu-Si )
| المصدر: | مجلة كلية التربية |
|---|---|
| الناشر: |
الجامعة المستنصرية - كلية التربية
|
| المؤلف الرئيسي: | |
| المجلد/العدد: | ع1 |
| محكمة: | نعم |
| الدولة: | العراق |
| التاريخ الميلادي: | 2009 |
| الصفحات: | 666 - 673 |
| ISSN: | 1812-0380 |
| رقم MD: | 677821 |
| نوع المحتوى: | بحوث ومقالات |
| قواعد المعلومات: | EduSearch |
| مواضيع: | |
| رابط المحتوى: |
| المستخلص: | تم تحضير ثنائي مقوم على نمط اتصال معدن مع شبه موصل من اتصال النحاس (Cu) مع السيلكون (Si) نوع (n) ودراسة الخواص الكهربائية لهذا الثنائي بعد التلدين بدرجة حرارة (673K) لإيجاد ارتفاع حاجز الجهد (b) وعامل المثالية (n) من قياسات كثافة التيار مع الفولتية ولحساب ارتفاع الحاجز (b) وتركيز المناحات (Nd) من قياسات السعة مع الفولتية لكي يتم تحديد إمكانية استخدام هذا الثنائي في تطبيقات الدوائر الإلكترونية. \ A rectifying diode has been fabricated as a metal semiconductor contacts from the contact of cupper (Cu) with n-type silicon. after annealing this contact in ( 673K), the electric characteristics for this diode is study to obtain the barrier height (φb) and the ideality factor (n) from current density with voltage measurement and to calculate the barrier height (φb) and the donor concentration (Nd) from the capacity with voltage measurements to determine the using of this diode in an electronic circuits. |
|---|
