عناصر مشابهة
دراسة تاثير التشعيع على الانتقالات الالكترونية المباشرة على لاغشية zno al المحضرة بطريقة الترسيب الكيميائي الحراري
| المصدر: | مجلة كلية التربية |
|---|---|
| الناشر: |
الجامعة المستنصرية - كلية التربية
|
| المؤلف الرئيسي: | |
| مؤلفين آخرين: | , , |
| المجلد/العدد: | ع 1 |
| محكمة: | نعم |
| الدولة: | العراق |
| التاريخ الميلادي: | 2009 |
| الصفحات: | 403 - 411 |
| ISSN: | 1812-0380 |
| رقم MD: | 431577 |
| نوع المحتوى: | بحوث ومقالات |
| قواعد المعلومات: | EduSearch |
| مواضيع: | |
| رابط المحتوى: |
| المستخلص: | حضرت اغشية (zno:Al) بطريقة الترسيب الكيمائي الحراري وعرضت الى التشعيع بأشعة كاما (Cs137) تبين ان عملية التشعيع تؤدي الى تغيير معامل الامتصاص لأغشية (ZnO:Al) كما يغير من فجوة الطاقة الممنوعة في الانتقاليين المباشرين المسموح والممنوع سجل طيفي الامتصاصية والنفاذية لهذه الأغشية في مدى الطيف (300-900 nm) Thin film of (ZnO:Al) have been prepared by using the chemical spray pyrolysis technique these film have been exposed to gamma rays. It was found that the as deposited films effected by y- radiation (Cs137) which lead to change in the optical properties . \ The irradiation change the absorption coefficient of (ZnO:Al) also a change in optical forbidden gap for direct allowed and forbidden transition were abserved transmission and absorption have been recorded in the wave length range (300-900 nm) |
|---|---|
| وصف العنصر: | باللغة الانجليزية |
