عناصر مشابهة
الخصائص التركيبية والبصرية لاغشية اوكسيد الخارصين الرقيقة المحضرة بتقنية التحلل الكيميائي الحراري
| المصدر: | مجلة كلية التربية |
|---|---|
| الناشر: |
الجامعة المستنصرية - كلية التربية
|
| المؤلف الرئيسي: | |
| مؤلفين آخرين: | , |
| المجلد/العدد: | ع 6 |
| محكمة: | نعم |
| الدولة: | العراق |
| التاريخ الميلادي: | 2009 |
| الصفحات: | 293 - 309 |
| ISSN: | 1812-0380 |
| رقم MD: | 430760 |
| نوع المحتوى: | بحوث ومقالات |
| قواعد المعلومات: | EduSearch |
| مواضيع: | |
| رابط المحتوى: |
| المستخلص: | \ حضرت أغشية رقيقة من ZnO(x)SnO2(1-x) بتقنية التحلل الكيميائي الحراري. تم التعرف على طبيعة التركيب من دراسة نمط حيود الأشعة السينية إذا كان التركيب سداسي متعدد التبلور بالنسبة لأغشية أوكسيد الخارصين والاتجاه السائد كان (002) في حين كان التركيب رباعي متعدد التبلور بالنسبة لأغشية ثنائي أوكسيد القصدير والاتجاه السائد (110). \ \ كانت قيمة فجوة الطاقة البصرية لأغشية أوكسيد الخارصين 3.2 eV وتزداد هذه القيمة كاما زاد تركيز ثنائي أوكسيد القصدير حتى تصل إلى 3.48 eV عند تركيز 50% من ثنائي أوكسيد القصدير. Thin films of ZnO(X)Sn02 (1-X) have been prepared by chemical spray pyrolysis technique . XRD analysis revealed that the as prepared ZnO thin films were polycrystalline hexagonal where the preferred orientation was along (002), while Sn02 were tetragonal polvcrystalline with a preferred orientation along (110). \ The optical energy gap for ZnO was 3.2 eV and this value were increased as the concentration of Sn02 increased until it reaches 3.48 eV for 50% concentration of Sn02. |
|---|
