عناصر مشابهة
دراسة تأثير المجال المغناطيسى على الخواص الكهربائية لثنائى الجرمانيوم
| المصدر: | مجلة أبحاث كلية التربية الأساسية |
|---|---|
| الناشر: |
جامعة الموصل - كلية التربية الأساسية
|
| المؤلف الرئيسي: | |
| المجلد/العدد: | مج 4, ع 2 |
| محكمة: | نعم |
| الدولة: | العراق |
| التاريخ الميلادي: | 2007 |
| الصفحات: | 216 - 225 |
| ISSN: | 1992-7452 |
| رقم MD: | 425547 |
| نوع المحتوى: | بحوث ومقالات |
| قواعد المعلومات: | EduSearch |
| مواضيع: | |
| رابط المحتوى: |
|
| المستخلص: | تم استخدام ثنائي (P - N) جرمانيوم كمجس لقياس المجالات المغناطيسي. بالاعتماد على خاصية المقاومة المغناطيسية تم تصميم وبناء مضخم تفاضلي لهذا الغرض. يستطيع هذا المضخم التفاضلي قياس التغيرات في الخواص الكهربائية للثنائي. ونظرا لكون هذه التغيرات لا تتصف استجابتها الخطية لتأثير المجالات المغناطيسية فقد تم تتطوير الدائرة بحيث تعطي قياسات تتناسب خطيا مع قيم المجال المغناطيسي. The germanium P - N junction diode is used as a gauss meter probe. Depending on the magneto resistance of the diode a differential amplifier circuit has been designed and built for this purpose. The differential amplifier can detect and measure changes in electrical properties of the diode. Due to the fact that these changes are not linear to magnetic field, the circuit is further modified to produce out put reading that have linear relationships to magnetic field values. |
|---|---|
| وصف العنصر: | ملخص لبحث منشور باللغة الانجليزية |
