عناصر مشابهة
Theoretical model for caluculating the tempreture rise induced during the process of laser heating of Silicon
| المصدر: | مجلة كلية التربية |
|---|---|
| الناشر: |
الجامعة المستنصرية - كلية التربية
|
| المؤلف الرئيسي: | |
| مؤلفين آخرين: | , |
| المجلد/العدد: | ع 5 |
| محكمة: | نعم |
| الدولة: | العراق |
| التاريخ الميلادي: | 2011 |
| الصفحات: | 36 - 45 |
| ISSN: | 1812-0380 |
| رقم MD: | 425389 |
| نوع المحتوى: | بحوث ومقالات |
| قواعد المعلومات: | EduSearch |
| مواضيع: | |
| رابط المحتوى: |
| المستخلص: | تم دراسة تسخين السليكون بواسطة ليزر النديميوم – ياك ذو النبضات المستمرة كنموذج نظري ، وتم حل معادلات الانتشار الحراري عدديا باستعمال برنامج حسابي لإيجاد درجة الحرارة المرتفع ة الناتجة خلال تلك العملي ة . كم ا افترضنا تغير الخواص الحراري ة لم ادة السليكون مع عملية تسخين الليزر ذو النبضات المستمرة لها ، علما بان نتائجنا أظهرت تطابق الحسابات مع القيمة العملية . CW Nd:YAG Laser heating of silicon are modeled theoretically and the heat diffusion equations solved numerically for estimation of the temperature rise induced during these processes. The thermal properties of the substrate silicon is assumed variations in the case of CW Laser heating . Our results at estimation are agreement with experimental value . |
|---|---|
| وصف العنصر: | مستخلص الدراسة باللغة العربية |
