عناصر مشابهة
Characterization of photocurrent based on ZnO by AI2O3 doping Nanostructures crown on n-Si by PLD
| المصدر: | مجلة كلية التربية |
|---|---|
| الناشر: |
الجامعة المستنصرية - كلية التربية
|
| المؤلف الرئيسي: | |
| المجلد/العدد: | ع 3 |
| محكمة: | نعم |
| الدولة: | العراق |
| التاريخ الميلادي: | 2011 |
| الصفحات: | 141 - 152 |
| ISSN: | 1812-0380 |
| رقم MD: | 424992 |
| نوع المحتوى: | بحوث ومقالات |
| قواعد المعلومات: | EduSearch |
| مواضيع: | |
| رابط المحتوى: |
| المستخلص: | البحث الحالي أعتمد إلى دراسة أغشية أوكسيد الخارصين والمشوبة بالالومينا وبتشويب مختلف (%. 1wt.%, 3 wt.% and 5 wt)، والمرسبة بتقنية الليزر النبضي على قواعد من السليكون نوع n . من خلال الأجهزة المصنعة تم دراسة الخصائص الكهربائية والبصرية في درجة حرارة °C 400, وضغط الأوكسجين mbar1-10×5, طول موجة الليزر nm 532 , وكثافة طاقة الليزر 0.4. 2J/cm. من خلال بيان الخصائص البصرية والكهربائية والتي اظهرت حديثا˝ الكشف عن مفرق الثنائي الضوئي p-n لأوكسيد الخارصين. أظهرت خصائص طيف الاستجابة الضوئية وتيار- فولتية ((I-V أن الكاشف مرشح واعد للكشف عن الأشعة الفوق البنفسجية. \ تم الحصول على كفاءة تقويم عالية مع استجابة ضوئية عالية تصل 0.25 A/W عند .340 nm هذا يقابل كفاءة كمية % 99.6. تبين النتائج أن أوكسيد الخارصين على تراكيب السليكون سيعمل كبديل جيد لصنع تيار ضوئية بكفاءة عالية. \ The present work aims at studying the of ZnO:Al2O3 films with different doping (1 wt.%, 3 wt.% and 5 wt.%), deposited by pulsed laser deposition technique (PLD) on n-type Si. The electrical and optical properties of processed devices were investigated in temperature of 400°C, oxygen pressure 5×10-1 mbar, irradiation condition, laser wavelength 532 nm and laser fluence energy density 0.4 J/cm2. We report optical and electrical characterizations of newly developed ZnO p-n junction photodiode detectors. The spectral photoresponse and characterization I-V properties show the detector is a promise candidate for UV detection. \ High performance rectifying was obtained, with high photoresponsivety of 0.25 A/W at 340 nm. The corresponding quantum efficiency was 99.6 %. The results show that ZnO on silicon structures will act as good candidates for making highly efficient photocurrent. \ |
|---|---|
| وصف العنصر: | مستخلص الدراسة باللغة العربية |
