عناصر مشابهة
Capacitance-Voltage and Current-Voltage Characteristics for CdSSe junction
| المصدر: | مجلة كلية التربية |
|---|---|
| الناشر: |
الجامعة المستنصرية - كلية التربية
|
| المؤلف الرئيسي: | |
| المجلد/العدد: | ع 1 |
| محكمة: | نعم |
| الدولة: | العراق |
| التاريخ الميلادي: | 2012 |
| الصفحات: | 723 - 733 |
| ISSN: | 1812-0380 |
| رقم MD: | 424668 |
| نوع المحتوى: | بحوث ومقالات |
| قواعد المعلومات: | EduSearch |
| مواضيع: | |
| رابط المحتوى: |
| المستخلص: | حضرت أغشية رقيقة من n-CdSSe بتقنية التبخير الحراري في الفراغ في درجة حرارة الغرفة على أرضية من السيليكون p-Si تحت ضغط6-01 ملي بار.سمك الغشاء بحدود800nm . لقد درس تاثير درجات حرارة التلدين K( 843,892,323) على الخصائص الكھربائية لمفارق CdSSe . قيست خصائص متسعة-فولتية(C-V) وتيار – فولتية(I-V) عند مدى(2-0) فولت. تم حساب جھد البناء (Vbi) عند درجات حرارة تلدين مختلفة و ترددات مختلفة(100Hz, 1kHz and 10kHz)، بينما تم حساب عامل المثالية(ß) من قياسات تيار- فولتية. n-CdSSe thin films were prepared by thermal evaporation technique at room temperature on p-Si substrate under vacuum of 10-6 mbar . Thickness of the film is 800nm . The effect of the annealing temperature (298,323 and 348) K on the electrical characterizations of CdSSe junctions was studied. The electrical properties are included the capacitance-voltage( C-V) and current- voltage (I-V) measurements in the range (0-2)Volt is measured. From C-V measurements, the built in- voltage (Vbi )is calculated under different annealing temperatures and different frequencies(100Hz, 1kHz and 10kHz), while from IV measurements, the ideality factor (ß )is calculated. |
|---|
