عناصر مشابهة

Synthesis and Characterization of CuO Nanostructures and CuO / p-Si-Schottky Diodes by Solution Growth

تفصيل البيانات البيبلوغرافية
العنوان بلغة أخرى:تحضير ودراسة خصائص CuO نانوي التركيب و CuO / p-Si شوتكي دايود بواسطة نمو المحلول
الناشر: الكوفة
المؤلف الرئيسي: علي، أصالة حسين (مؤلف)
مؤلفين آخرين: الخياط، عادل حبيب عمران (مشرف)
التاريخ الميلادي:2017
التاريخ الهجري:1439
الصفحات:1 - 145
رقم MD:1020270
نوع المحتوى: رسائل جامعية
اللغة:English
قواعد المعلومات:Dissertations
الدرجة العلمية:رسالة ماجستير
الجامعة:جامعة الكوفة
الكلية:كلية العلوم
مواضيع:
رابط المحتوى:
الوصف
المستخلص:في هذا البحث حضرت أغشية CuO على الركيزة الزجاجية من خلال طريقة امتزاز وتفاعل طبقة أيونية متعاقبة (SILAR) وباختلاف زمن الترسيب، عدد الدورات، تغير تركيز الأمونيا، تغير قيم ال pH ودرجة حرارة التلدين. وقد تم فحص الخصائص التركيبية والبصرية والكهربائية للأغشية الرقيقة من CuO وتحليلها. نتائج حيود الأشعة السينية (XRD) تشير إلى أن تركيب جميع الأغشية الرقيقة المحضرة ذات طبيعة متعددة التبلور ذات طور أحادي الميل (monoclinic)‏ ولها تبلور منخفض عند التغير في زمن الترسب، عدد الدورات، تركيز الأمونيا، تغير قيم ال pH ودرجة حرارة التلدين، المعززة لبلورية الأغشية. وأظهرت نتائج مجهر القوى الذرية (AFM) لأغشية CuO الرقيقة المحضرة على ركائز الزجاج ذات بنية سطح صقيله. سجلت أطياف الامتصاصية والنفاذية في مدى الطول ألموجي nm (400- 1100)، والتي أظهرت أن حافات الامتصاص لأغشية CuO أزيحت نحو الأطوال الموجية الأطول (أزاحه حمراء) وأن قيم فجوة الطاقة البصرية للانتقال المباشر المسموح بها تقع ضمن المدى من ‎ eV(1.7- 2.2) تبعا للمتغيرات. بالإضافة إلى ذلك، تم دراسة تأثير (زمن الترسب، وعدد الدورات، وتغير تركيز الأمونيا، تغير قيم ال pH، ودرجة حرارة التلدين على الثوابت البصرية (معامل الامتصاص، الانعكاسية، معامل الانكسار ومعامل الخمود). أظهرت دراسة الخصائص الكهربائية للكاشف الضوئي MSM Ni/ CuO/ p-Si المرسبة، أن مقدار حاجز شوتكي eV‏ (0.235، 0.308، 0.305) عند زيادة عدد دورات الأغشية (5، 10، 15) على التوالي. وأظهرت الدراسة أن الخواص الكهربائية ل pn-junction Ni/ CuO/ n-Si المرسبة، أن مقدار حاجز شوتكي كانت eV (0.723، 0.736، 0.716) عند زيادة عدد دورات الأغشية المحضرة (5، 10، 15) على التوالي.