عناصر مشابهة
Theoretical Study of Electron Transport Through Some Nanoelectronic Structures
| العنوان بلغة أخرى: | دراسة نظرية لعملية انتقال الالكترون خلال بعض التراكيب النانوية |
|---|---|
| الناشر: |
الناصرية
|
| المؤلف الرئيسي: | |
| مؤلفين آخرين: | , |
| التاريخ الميلادي: | 2017 |
| التاريخ الهجري: | 1438 |
| الصفحات: | 1 - 84 |
| رقم MD: | 1009124 |
| نوع المحتوى: | رسائل جامعية |
| اللغة: | English |
| قواعد المعلومات: | Dissertations |
| الدرجة العلمية: | رسالة ماجستير |
| الجامعة: | جامعة ذي قار |
| الكلية: | كلية العلوم |
| مواضيع: | |
| رابط المحتوى: |
| المستخلص: | إن العمل الحالي هو دراسة نظرية للخواص الالكترونية لعملية نقل الإلكترون خلال بعض التراكيب الجزيئية. النظام تحت الدراسة هو قطب أيسر- مانح- جزيئة- قابل- قطب أيمن. إن الجزيئة المدروسة هي إحدى التراكيب التالية (فينيل، ثنائي الفينيل، ثلاثي الفينيل، نفثالين، أنثراسين وفينانثرين). تم تحضير المعالجة النظرية للحالة المستقرة من أجل التعبير عن احتمالية النفاذية لنقل الإلكترون خلال التراكيب الحلقية. هاملتون أندرسون -نيونس يصف النظام بإهمال البرم وتفاعلات كولوم على النظام. كانت المعالجة سهلة لتضمن تأثير الفيض المغناطيسي على عملية النقل لأي تركيب حلقي. علاوة على ذلك، معظم التأثيرات المأخوذة بنظر الاعتبار هي التداخل الكمي وفولتية البوابة وفولتية الانحياز. وظفت احتمالية النفاذية لحساب التوصيلية والتيار الكهربائي. استخدمت نظرية (DFT) لحساب الخواص الإلكترونية للجزيئات المعتبرة، مثل فجوة الطاقة وكثافة الحالات وتوزيع الكثافة الإلكترونية (HOMO, LUMO). بينت هذه الدراسة بأن كل الجزيئات المدروسة بواسطة برنامج كاوسين 09 يمكن تصنيعها بواسطة استغلال طاقتها الكلية المحسوبة. كما تم استغلال تأثير التداخل الكمي عند قيم خاصة من الفيض المغناطيسي لتصميم بوابات منطقية كمية كبوابات (NAND gate, XNOR gate) وكذلك تصميم مقوم ذات مقياس نانوي مثل (مقوم نصف موجة ومقوم موجة كاملة). |
|---|
